图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3N50C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3N50C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3N50C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP3N50C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3N50C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP3N50C 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要参数为:500V耐压、3A连续漏极电流(Tc=25℃)、Rds(on)典型值约3.5Ω(Vgs=10V),采用TO-220封装。 其典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):用于反激式(Flyback)、正激式(Forward)等AC-DC适配器、充电器及LED驱动电源中的高压侧开关管,兼顾成本与可靠性。 ✅ 电机控制:适用于小功率直流电机、风扇、泵类等低压至中压(≤400V母线)的PWM调速电路。 ✅ 逆变器与UPS:在中小功率离线式逆变器或后备式UPS中作为DC-AC桥臂开关元件(需配合驱动与保护电路)。 ✅ 电感负载驱动:如继电器、电磁阀、小型变压器等感性负载的高速通断控制。 ✅ LED照明系统:用于恒流驱动或调光控制中的高压侧开关,支持PWM调光。 该器件具备良好的雪崩耐受能力(UIS rated),适合存在电压尖峰的工业环境;但因Rds(on)相对较高,不推荐用于大电流、高效率或高频(>100kHz)场合。设计时需注意栅极驱动电压(建议10V以上以充分导通)、散热(TO-220需配散热器)及dV/dt抗干扰能力。 综上,FQP3N50C是一款经济可靠的中高压通用型MOSFET,广泛应用于对成本敏感、功率适中(数十瓦级)、开关频率不高(通常≤60kHz)的工业与消费类电源及控制设备中。