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- 型号： FQP1P50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP1P50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP1P50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP1P50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP1P50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP1P50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP1P50 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，主要参数包括：VDSS = –500 V、ID = –1.5 A（TC = 25°C）、RDS(on) 典型值约8.5 Ω（VGS = –10 V），具备雪崩耐量和低栅极电荷特性。 其典型应用场景包括： ✅ 高压直流开关电源：适用于反激式或正激式转换器中的初级侧同步整流或辅助电源控制； ✅ 离线式AC-DC适配器/充电器：在待机电路、高压启动电路或过压保护中作高压关断开关； ✅ 工业控制与电机驱动：用于中小功率有刷直流电机的H桥高边开关（需注意驱动电压匹配及电平移位）； ✅ LED驱动电路：在高压恒流源中作为电流调节或调光开关； ✅ 电源管理模块：如电源通断控制（Power OR-ing）、电池反接保护、浪涌抑制等需高压阻断能力的场合。 需注意：该器件为P沟道，适合高边开关应用，但因RDS(on)较高、电流能力有限，不适用于大电流或高频（>100 kHz）主功率开关。设计时应确保栅极驱动满足|VGS| ≥ 10 V以充分导通，并注意散热（TO-220需合理加装散热器）。 综上，FQP1P50 主要面向对耐压要求高（500 V）、电流适中（≤1.5 A）、成本敏感且工作频率不高的中高压开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP1P50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 欧姆 @ 750mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
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