Datasheet下载- 型号： FQNL1N50BBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQNL1N50BBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQNL1N50BBU价格参考。Fairchild SemiconductorFQNL1N50BBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQNL1N50BBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQNL1N50BBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQNL1N50BBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具有500V耐压、1.2A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为12Ω）、快速开关特性及内置ESD保护。 其主要应用场景包括： ✅ 小功率离线式AC-DC电源：如适配器、充电器、LED驱动电源中的初级侧开关管（反激式拓扑），适用于≤5W低功耗设计； ✅ 继电器/电磁阀驱动电路：作为低压控制端的高压负载开关，实现单片机或逻辑IC对500V以下感性负载的安全驱动； ✅ LED照明控制模块：用于调光电路、多路LED串的分组开关控制； ✅ 工业控制与家电辅助电源：如PLC输入/输出隔离模块、白色家电（空调、洗衣机）中待机电源或风机控制等次级高压开关环节； ✅ 电池管理系统（BMS）中的高压侧保护开关：配合检测电路实现过压/过流切断功能（需注意电流能力限制）。 该器件强调高可靠性、高雪崩耐量（UIS额定）和热稳定性，适合空间受限且需一定高压鲁棒性的中低频（<100kHz）开关应用。不适用于大电流或高频PWM主功率变换场景（如电机驱动主桥臂）。选型时建议搭配合适栅极驱动与散热设计，并参考ON官方提供的FQNL1N50BBU数据手册进行SOA（安全工作区）校核。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQNL1N50BBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 135mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92L |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 270mA （Tc） |
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