Datasheet下载- 型号： FQI9N15TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI9N15TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI9N15TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI9N15TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI9N15TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI9N15TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI9N15TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-251（IPAK）封装，额定电压150V，连续漏极电流9A（Tc=25℃），典型导通电阻Rds(on)为0.28Ω（Vgs=10V）。其高耐压、中等电流与低导通损耗特性，使其适用于中功率开关场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的次级侧同步整流或初级侧高频开关（如反激/正激拓扑中的主开关管）； 2. 电机控制：在中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥驱动电路中，承担功率开关功能； 3. 工业控制：PLC输出模块、继电器替代固态开关、电磁阀驱动等需150V耐压及可靠通断的场合； 4. 照明电子：高压LED恒流驱动电路中的PWM调光开关管； 5. 电池管理系统（BMS）：中高压电池组的充放电保护回路中作主控开关（配合保护IC使用）。 该器件具备良好的雪崩耐量（UIS）、快速开关特性（td(on)/td(off)约15ns/45ns）及优化的栅极电荷（Qg≈23nC），兼顾效率与EMI性能。TO-251封装便于通孔安装与散热，适合成本敏感且空间受限的中端工业与消费类应用。注意设计时需合理选配驱动电阻与散热措施，确保栅极驱动电压稳定（推荐10V以上以充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI9N15TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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