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- 型号： FQI9N08TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI9N08TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI9N08TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI9N08TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI9N08TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI9N08TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI9N08TU 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F封装，额定电压80V，连续漏极电流9A（Tc=25°C），Rds(on)典型值为0.22Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率DC-DC转换器：如车载USB充电模块、工业电源次级侧同步整流或BUCK/BOOST主开关； ✅ 电机驱动电路：适用于风扇、小型直流无刷电机（BLDC）的H桥下管或单相驱动，兼顾效率与热管理（TO-220F带绝缘底板，可直接安装散热器）； ✅ LED恒流驱动与调光控制：作为PWM调光开关管，响应快、导通损耗低； ✅ 电源保护与电子开关：如过流保护电路、智能插座负载控制、电池管理系统（BMS）中的充放电回路开关； ✅ 家电与工业控制：电磁阀驱动、继电器替代、PLC输出模块等中频（≤100kHz）、中功率（<100W）开关应用。 该器件不适用于高频谐振（如LLC）、大电流并联或极端高温环境（需降额使用），但凭借高性价比、成熟可靠性和易用性，在通用工业及消费类电源领域广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI9N08TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 4.65A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.3A （Tc） |
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