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  • 型号: FQI7P06TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI7P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI7P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI7P06TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI7P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI7P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI7P06TU 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的 P 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-251(IPAK)封装,额定电压 -60V,连续漏极电流 -7A(Tc=25°C),导通电阻 Rds(on) 典型值为 0.15Ω(Vgs = -10V)。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于 DC-DC 转换器的同步整流、负载开关及反向电流保护电路,尤其适用于中低压、中功率的离线式或板载电源系统。

2. 电机控制:在小型直流电机(如风扇、泵、办公设备驱动)的 H 桥或半桥驱动中作为高边或低边开关,利用其快速开关特性和较低导通损耗提升效率。

3. 电池供电设备:广泛用于便携式设备(如电动工具、POS 终端、工业手持终端)中的电池保护与充放电管理电路,支持过流/反接保护功能。

4. LED 驱动与背光控制:在 LED 恒流驱动或区域调光电路中用作 PWM 开关,实现高效、低噪声的亮度调节。

5. 工业与汽车电子辅助系统:适用于车载后视镜加热、车窗升降、座椅调节等 12V/24V 系统中的功率开关应用(需满足 AEC-Q101 认证的衍生型号更适配汽车级需求;FQI7P06TU 为工业级,非原厂车规认证型号)。

该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷(Qg ≈ 20nC)和快速开关特性,适合高频(数十kHz 至百kHz 级)开关应用。设计时需注意其 P 沟道特性(逻辑高电平关断、低电平导通),合理配置驱动电路以确保充分增强。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FQI7P06TU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

295pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

410 毫欧 @ 3.5A,10V

供应商器件封装

I2PAK

功率-最大值

3.75W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Tc)

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