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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI7P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI7P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI7P06TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI7P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI7P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI7P06TU 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的 P 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-251(IPAK)封装,额定电压 -60V,连续漏极电流 -7A(Tc=25°C),导通电阻 Rds(on) 典型值为 0.15Ω(Vgs = -10V)。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于 DC-DC 转换器的同步整流、负载开关及反向电流保护电路,尤其适用于中低压、中功率的离线式或板载电源系统。 2. 电机控制:在小型直流电机(如风扇、泵、办公设备驱动)的 H 桥或半桥驱动中作为高边或低边开关,利用其快速开关特性和较低导通损耗提升效率。 3. 电池供电设备:广泛用于便携式设备(如电动工具、POS 终端、工业手持终端)中的电池保护与充放电管理电路,支持过流/反接保护功能。 4. LED 驱动与背光控制:在 LED 恒流驱动或区域调光电路中用作 PWM 开关,实现高效、低噪声的亮度调节。 5. 工业与汽车电子辅助系统:适用于车载后视镜加热、车窗升降、座椅调节等 12V/24V 系统中的功率开关应用(需满足 AEC-Q101 认证的衍生型号更适配汽车级需求;FQI7P06TU 为工业级,非原厂车规认证型号)。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷(Qg ≈ 20nC)和快速开关特性,适合高频(数十kHz 至百kHz 级)开关应用。设计时需注意其 P 沟道特性(逻辑高电平关断、低电平导通),合理配置驱动电路以确保充分增强。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI7P06TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 410 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |