Datasheet下载- 型号： FQI6N50TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI6N50TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI6N50TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI6N50TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI6N50TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI6N50TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI6N50TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-220F封装，额定电压500V，连续漏极电流6A（Tc=25℃），典型导通电阻Rds(on)为1.2Ω（Vgs=10V）。其高耐压、中等电流及良好的开关特性，适用于中功率开关电源场景。 主要应用场景包括： 1. AC-DC开关电源：如适配器、充电器、LED驱动电源中的主开关管（反激式或准谐振拓扑），可高效实现50–100W级能量转换； 2. 离线式电源系统：在非隔离或初级侧控制方案中，作为高频开关器件，配合控制器（如NCP13xx系列）实现低待机功耗与高效率； 3. 工业控制电源模块：用于PLC电源、继电器驱动、小型电机控制等需可靠高压隔离切换的场合； 4. LED照明驱动：在恒流/恒压LED电源中承担主功率开关角色，支持调光兼容性设计； 5. 家电辅助电源：如空调、洗衣机中的待机电源（Standby PSU）或PFC后级开关。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS额定值）、较低栅极电荷（Qg≈18nC），利于降低驱动损耗和提升开关速度，同时TO-220F封装自带绝缘法兰，简化散热与安规设计。需注意合理布局PCB、优化驱动电路（避免米勒振荡）及充分散热以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI6N50TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3 欧姆 @ 2.8A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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