【未分类_FQI6N15TU】封装/厂家_FQI6N15TU中文资料_价格

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型号： FQI6N15TU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI6N15TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI6N15TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI6N15TU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQI6N15TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI6N15TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI6N15TU 是安森美（onsemi）推出的 N 沟道增强型高压 MOSFET，额定电压 150V，连续漏极电流 6A（Tc=25°C），采用 TO-220F（绝缘封装）或 TO-220（非绝缘）封装，具备低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.3Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐量。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：适用于反激式、正激式或LLC谐振变换器的主开关管，尤其在150V输入级（如三相整流后母线、工业220VAC整流输出约310V DC时需降压分段设计，但FQI6N15TU更适配150V以下中压DC/DC模块）。  
✅ 电机驱动：用于中小功率有刷直流电机、步进电机的H桥驱动单元（单管配置），常见于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇调速）、自动化执行器等。  
✅ LED 驱动电路：作为恒流开关，驱动中高功率LED模组（如路灯、工矿灯），配合PWM调光控制。  
✅ 逆变器与UPS系统：在低压DC-AC逆变环节（如12V/24V转110V AC小功率备用电源）中作高频开关元件。  
✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电回路的过流/短路保护开关（需配合驱动与检测电路）。

注意：该器件不适用于直接接入220V交流市电整流后的高压母线（≈310V），因其150V VDSS余量不足；实际应用中需确保最大工作电压留有≥20%安全裕量，并做好PCB布局散热（TO-220F需可靠接地散热）及栅极驱动保护（防振荡与过压）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQI6N15TU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	270pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	8.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	600 毫欧 @ 3.2A，10V
供应商器件封装	I2PAK
功率-最大值	3.75W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.4A （Tc）