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- 型号： FQI5N40TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI5N40TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI5N40TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI5N40TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI5N40TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI5N40TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI5N40TU 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-218封装（带隔离底板），主要参数为：VDS = 400 V，ID（连续）= 5.3 A（TC = 25°C），RDS(on) ≈ 1.2 Ω（典型值），具备快速开关特性与低栅极电荷。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边/辅助电源等中功率场合，承担主开关或PFC后级开关功能； ✅ 工业控制与电机驱动：用于小功率直流电机调速、继电器替代、电磁阀驱动等需400V耐压及可靠通断的场景； ✅ 照明电子镇流器与HID灯驱动：满足高频、高电压启辉与稳态工作需求； ✅ 不间断电源（UPS）与逆变器辅助电路：在低压侧控制、电池切换或待机电源模块中提供高效、隔离式开关功能； ✅ 家电与白色家电：如微波炉磁控管驱动、空调压缩机保护电路、洗衣机主控板中的高压负载开关等。 该器件具备TO-218金属封装带来的良好散热性与电气隔离能力（底板与源极绝缘），适合需要安全隔离和中等功率密度的设计。注意设计时需合理匹配驱动电路（确保足够栅极驱动电压与电流），并加强PCB散热布局以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI5N40TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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