Datasheet下载- 型号： FQI4P40TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4P40TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4P40TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4P40TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI4P40TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI4P40TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4P40TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F封装，耐压400V，连续漏极电流–0.9A（Tc=25℃），典型导通电阻Rds(on)为4.5Ω（Vgs=–10V）。其高耐压、低功耗与工业级可靠性，适用于中低功率、高电压直流控制场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）次级侧同步整流或辅助电源控制——利用其P沟道特性实现反向电压隔离与关断保护； 2. LED驱动电路中的恒流/调光开关——在高压LED串（如市电直驱LED灯）中作高压侧开关或过压保护开关； 3. 工业控制中的继电器替代方案——用于PLC输出模块、电机启停控制等需400V耐压的直流负载开关； 4. AC-DC适配器与充电器的初级侧过压/过流保护电路——配合控制器实现快速关断； 5. 电池管理系统（BMS）高压侧保护开关——适用于多节串联锂电池组（如100V以上储能系统）的充放电切断。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），支持一定脉冲能量耐受，适合存在感性负载或电压尖峰的工况。但因ID较小、Rds(on)较高，不适用于大电流连续导通场合，常作为控制/保护开关而非主功率开关使用。设计时需注意栅极驱动（负压关断）、散热（TO-220F需加散热器）及PCB布局以抑制EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI4P40TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.1 欧姆 @ 1.75A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Tc） |
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