Datasheet下载- 型号： FQI3N25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3N25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3N25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3N25TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3N25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3N25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3N25TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-251（IPAK）封装，额定电压250V，连续漏极电流约3.3A（Tc=25℃），Rds(on)典型值为1.4Ω，具备快速开关特性与良好的雪崩耐受能力。 其典型应用场景包括： • 离线式AC-DC电源：如小功率适配器、充电器、LED驱动电源中的初级侧开关管（反激式/准谐振拓扑），适用于85–265V交流输入； • 工业控制模块：用于继电器替代、电机启停控制、电磁阀驱动等中低频开关场合（<100kHz）； • 家电电源系统：如空调、洗衣机、微波炉的辅助电源或待机电源电路； • LED照明驱动：在非隔离降压（Buck）或隔离反激方案中作为主功率开关； • 电池管理系统（BMS）保护电路：用于过流/短路保护的高压侧检测与切断功能（需配合驱动与保护电路）。 该器件强调高可靠性与热稳定性，适合空间受限且需一定散热裕量的PCB设计。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、配置RC缓冲网络抑制电压尖峰，并确保PCB铜箔散热充足以维持结温安全（Tj ≤ 150℃）。不适用于高频谐振（如LLC）或大电流同步整流等严苛场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3N25TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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