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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQI2P25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI2P25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI2P25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI2P25TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI2P25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI2P25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI2P25TU 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，额定电压 -250V，连续漏极电流 -1.8A（Tc=25°C），典型导通电阻 Rds(on) 为 4.5Ω（Vgs = -10V）。其高耐压与中等电流特性使其适用于中高压、低频开关场景。 典型应用场景包括： 1. 工业电源与辅助电源：用作反激式或正激式开关电源中的高压侧同步整流或次级侧开关，尤其适合 100–250V DC 输入的隔离电源系统； 2. 电机控制：在小型直流电机（如风机、泵）的H桥或单向驱动电路中作为上桥臂P-MOSFET，实现简单电平移位驱动； 3. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组的充放电保护电路中，作为过压/过流保护的切断开关（如-250V耐压可覆盖多串锂电或铅酸电池组）； 4. LED 驱动电源：在非隔离型降压（Buck）或线性调光电路中作高压侧调光开关； 5. 家电与工控设备：如电磁炉、PLC 输出模块、继电器替代电路中的固态开关，提供可靠、无触点的高压负载控制。 需注意：该器件为P沟道，通常需负压驱动栅极（如Vgs ≤ -10V），设计时应配合合适的栅极驱动电路以确保充分导通与快速关断。其TO-220封装便于散热，适用于中等功率（<5W 开关损耗）场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI2P25TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1.15A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Tc） |
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