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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQI2N80TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI2N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI2N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI2N80TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI2N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI2N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FSC（Fairchild Semiconductor，现属安森美ON Semiconductor）的FQI2N80TU是一款800V、2A、TO-220F封装的N沟道增强型高压MOSFET。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源辅助电路等，承担高频开关功能，利用其高耐压（800V）应对整流后高压母线（如380V DC或更高峰值电压）； 2. LED照明驱动：在隔离式反激（Flyback）或非隔离降压（Buck）拓扑中作主开关管，满足UL/EN61347等安规对高压隔离与可靠性的要求； 3. 工业控制与家电：用于电磁炉、微波炉、空调压缩机驱动等中小功率电机控制电路中的高压侧开关，具备雪崩耐量（Rugged Avalanche Rated），提升系统鲁棒性； 4. 逆变器与UPS：在小功率离线式逆变器或不间断电源中用作DC-AC转换级的开关器件（常配合驱动IC使用）； 5. 通用高压开关应用：如固态继电器（SSR）、电表负载开关、电池管理系统（BMS）中的高压隔离保护等。 该器件采用平面型垂直结构，具备低栅极电荷（Qg≈12nC）、典型导通电阻Rds(on)≤5.5Ω（Vgs=10V），兼顾开关效率与热稳定性；TO-220F封装带绝缘法兰，便于散热且满足电气隔离需求。需注意合理设计驱动电路（避免米勒效应误导通）及散热措施（建议加装散热片）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI2N80TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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