【未分类_FQI27P06TU】封装/厂家_FQI27P06TU中文资料_价格

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型号： FQI27P06TU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI27P06TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI27P06TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI27P06TU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQI27P06TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI27P06TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI27P06TU 是安森美（onsemi）推出的P沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，额定电压-60V，连续漏极电流-27A（Tc=25°C），导通电阻Rds(on)典型值为45mΩ（Vgs=-10V），具备低栅极电荷与快速开关特性。  

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的高边或低边开关（尤其适配P-FET低边配置）、负载开关及电源路径管理；  
✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机的H桥反向控制、风扇/泵类负载的PWM调速与启停控制；  
✅ 电池管理系统（BMS）：用于便携设备或工业电池组的充放电保护电路，如过流/短路保护中的反向阻断开关；  
✅ LED驱动与照明：作为恒流源的调光开关或区域控制开关，支持高频PWM调光；  
✅ 工业控制与嵌入式系统：用作PLC输出模块、继电器替代开关、热插拔（Hot-swap）电路中的功率开关，提供低功耗、高可靠性控制。  

该器件具备雪崩耐量（UIS rated），适合存在感性负载或电压瞬变的严苛环境；其逻辑电平兼容性（Vgs(th)约-2V至-4V）便于直接由MCU GPIO驱动（需注意驱动能力）。  

⚠️ 注意：实际应用中需合理设计PCB散热焊盘、栅极驱动电阻及ESD防护，并避免持续工作在SOA边界外。  

（字数：398）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQI27P06TU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1400pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	43nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	70 毫欧 @ 13.5A，10V
供应商器件封装	I2PAK
功率-最大值	3.75W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	27A （Tc）