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- 型号： FQI17P10TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI17P10TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI17P10TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI17P10TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI17P10TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI17P10TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI17P10TU 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的P沟道增强型MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（非绝缘）封装，额定参数为：VDS = –100 V，ID = –17 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值约140 mΩ（VGS = –10 V）。其高耐压与中等电流能力，配合低导通电阻和快速开关特性，适用于中高压DC/DC转换与电源管理场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）次级侧同步整流或高压侧负载开关——在反激、LLC等拓扑中用作P沟道高压侧开关，简化驱动设计（无需自举电路）； 2. 工业电源与UPS系统中的电池反接保护与电源路径管理——利用P-MOSFET天然的反向阻断特性，实现可靠极性保护； 3. 电机驱动H桥的上桥臂开关（需搭配电平移位驱动）——适用于中小功率直流有刷电机控制； 4. LED驱动电源的恒流调节或调光开关； 5. 电信设备及服务器电源中的热插拔（Hot-swap）保护电路与ORing应用。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），增强系统鲁棒性；符合RoHS，适用于工业级温度范围（–55°C 至 +175°C）。注意：实际使用中需确保栅极驱动电压满足阈值要求（VGS(th) ≈ –2.0 V 至 –4.0 V），并合理设计散热以维持持续17 A电流能力。
产品参数
图文手册
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