【未分类_FQI12N50TU】封装/厂家_FQI12N50TU中文资料_价格

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型号： FQI12N50TU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQI12N50TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI12N50TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI12N50TU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQI12N50TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI12N50TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQI12N50TU 是 Fairchild（现属onsemi）推出的N沟道增强型高压MOSFET，额定参数为500V耐压、12A连续漏极电流（Tc=25℃），采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（非绝缘）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.58Ω）、快速开关特性及内置体二极管。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的主开关管，适用于反激（Flyback）、正激（Forward）等拓扑中500V级高压侧开关。  
✅ 电机控制：适用于中小功率（如<600W）单相交流电机驱动、风扇/泵类家电的变频控制模块中的功率开关。  
✅ 逆变器与UPS：在离线式不间断电源（UPS）和小型太阳能微逆变器中承担DC-AC桥式逆变开关功能。  
✅ 工业控制设备：如PLC输出模块、固态继电器（SSR）替代方案，利用其高可靠性与雪崩耐受能力（UIS Rated）应对感性负载关断尖峰。  
✅ 电磁炉/感应加热：作为谐振回路中的高频开关器件（需配合驱动优化，注意开关损耗与散热设计）。

注意事项：实际应用中需合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、配置RC缓冲电路抑制电压振铃，并确保足够散热（TO-220F需加绝缘垫片并紧固散热器）。不建议用于线性区长时间工作或极高频率（>100kHz）场景，以免温升超标。

（字数：398）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQI12N50TU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	51nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	490 毫欧 @ 6.05A，10V
供应商器件封装	I2PAK
功率-最大值	3.13W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12.1A （Tc）