Datasheet下载- 型号： FQE10N20LCTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQE10N20LCTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQE10N20LCTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQE10N20LCTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQE10N20LCTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQE10N20LCTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQE10N20LCTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，额定参数为：VDS = 200 V，ID（连续）= 10 A，RDS(on)典型值约0.38 Ω（VGS = 10 V），具备低导通损耗、快速开关特性及内置体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：在工业/通信设备的隔离式或非隔离式降压（Buck）、反激（Flyback）拓扑中作功率开关； ✅ 电机控制：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、步进电机H桥驱动的上/下臂开关（需注意电压裕量）； ✅ 照明电子：LED恒流驱动电路、智能调光系统中的PWM调制开关； ✅ 家电与工业控制：电磁阀、继电器驱动、电热控制等中等功率负载的固态开关应用。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS Rated），适合存在感性负载或电压尖峰的工况；但不适用于高频射频（RF）或超低压（如<5 V逻辑驱动）场景。实际使用中建议搭配合适栅极驱动（推荐VGS ≥ 10 V以确保充分导通）及散热设计（TO-220需外接散热片）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQE10N20LCTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 12.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 标准包装 | 60 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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