Datasheet下载- 型号： FQE10N20CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQE10N20CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQE10N20CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQE10N20CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQE10N20CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQE10N20CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQE10N20CTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，额定参数为：200V漏源电压（VDSS）、10A连续漏极电流（ID，TC=25°C）、典型导通电阻RDS(on)低至0.38Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：在升压（Boost）、降压（Buck）及反激（Flyback）拓扑中用作功率开关，兼顾效率与成本； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或单向PWM调速电路； ✅ 照明电子：LED恒流驱动、智能调光系统中的高频开关元件； ✅ 工业控制与家电：电磁阀驱动、继电器替代、电热控制等中压中功率开关场合。 该器件具有较低的栅极电荷（Qg≈20nC）和较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提升系统能效；TO-220封装便于散热与传统PCB安装，适合对可靠性与性价比有要求的中端工业及消费类应用。需注意合理设计驱动电路（确保VGS≥10V以充分导通）及散热措施（如加装散热片），以保障长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQE10N20CTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 12.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 标准包装 | 1,920 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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