Datasheet下载- 型号： FQD7N20TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7N20TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7N20TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7N20TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD7N20TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7N20TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7N20TF 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有7A连续漏极电流（ID）、200V耐压（VDS）和典型导通电阻RDS(on) ≈ 0.38Ω（VGS = 10V）。其低栅极电荷与快速开关特性，适用于中等功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的次级侧同步整流或初级侧开关（如反激式/降压式DC-DC转换器）； ✅ 电机驱动电路，如小型直流无刷电机（BLDC）的H桥上/下臂驱动、风扇/泵类负载控制； ✅ LED恒流驱动与调光系统（尤其需PWM调光的中功率LED照明模块）； ✅ 电池供电设备中的电源管理，如便携式仪器、电动工具的过流保护与负载开关； ✅ 工业控制中的继电器替代方案（固态开关），用于PLC输出模块或电磁阀驱动。 该器件具备良好的热性能（RθJA ≈ 62°C/W，PCB优化散热下可支持持续数瓦功耗），并内置体二极管，适用于续流与反向电压钳位。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、提供足够散热及输入/输出端浪涌防护，以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD7N20TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 690 毫欧 @ 2.65A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A （Tc） |
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