图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD60N03LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD60N03LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD60N03LTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD60N03LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD60N03LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD60N03LTM 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装。其典型参数包括:VDS = 30 V、ID(连续)= 60 A(TC=25°C)、RDS(on)低至约8.5 mΩ(VGS=10 V),且支持4.5 V逻辑电平驱动,具备快速开关特性与良好热性能。 该器件广泛应用于中高电流、低压直流电源管理场景,如: ✅ DC-DC转换器(如Buck电路中的同步整流管或主开关管); ✅ 电机驱动(如无人机电调、电动工具、风扇/泵的H桥或单向驱动); ✅ 电源开关与负载切换(如PC主板/服务器的VRM模块、USB PD供电路径管理、电池保护板充放电控制); ✅ LED照明驱动(大功率LED恒流调光与PWM调光开关); ✅ 工业控制与嵌入式系统(PLC输出模块、继电器替代、智能插座等固态开关应用)。 其逻辑电平兼容性(可直接由MCU GPIO 3.3 V/5 V驱动)、低导通损耗和鲁棒的ESD防护(符合HBM Class 2),使其特别适合空间受限、能效敏感且需简化驱动设计的中功率应用。注意实际使用中需合理设计PCB散热焊盘并匹配栅极驱动电阻,以优化开关速度与EMI表现。