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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3N60TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3N60TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3N60TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD3N60TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD3N60TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD3N60TF 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有600V耐压、3A连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on)典型值2.5Ω)、快速开关特性及内置ESD保护。 其典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):常用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC ATX电源的PFC级或主功率开关; ✅ LED照明驱动:在隔离/非隔离式恒流LED驱动电路中作高频开关管,支持调光控制; ✅ 电机控制:适用于小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的驱动H桥低端开关; ✅ 逆变器与UPS系统:在中小功率离线式逆变器中承担DC-AC转换的开关功能; ✅ 工业控制与家电:如电磁炉、电风扇、水泵等需高压隔离驱动的场合。 该器件具备雪崩耐量(UIS)能力,可靠性高,配合简单栅极驱动即可工作,适合中频(≤100kHz)硬开关应用。其表面贴装封装利于自动化生产与热管理优化,但需注意PCB铜箔面积与散热设计以保障温升在安全范围内。 (字数:298)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD3N60TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |