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- 型号： FQD3N40TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3N40TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3N40TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3N40TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD3N40TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD3N40TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD3N40TF 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有400V耐压、3A连续漏极电流（ID）、典型导通电阻RDS(on)为3.5Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： • 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的次级侧同步整流或初级侧高压开关（需配合驱动电路及合理散热）； • 电机控制：适用于小功率直流电机（如风扇、电动工具、家电泵类）的H桥或单管驱动，尤其适合中低频PWM调速（<100kHz）； • LED照明驱动：在恒流/恒压LED驱动电路中作主控开关，支持调光功能； • 电源管理模块：如电池保护板、DC-DC降压转换器（Buck拓扑）中的高边或低边开关； • 工业控制与家电：用于继电器替代、电磁阀驱动、电热控制等需要中高压隔离开关的场合。 该器件因DPAK封装便于自动化贴片与散热，兼顾成本与可靠性，广泛应用于对体积、效率和EMI有一定要求的中端消费电子与工业电源设计中。使用时需注意栅极驱动电压（推荐10V以确保充分导通）、PCB铜箔散热设计及反向感性负载下的续流保护（建议并联续流二极管）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD3N40TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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