Datasheet下载- 型号： FQD2N60TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N60TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N60TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N60TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD2N60TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N60TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N60TF 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有600V耐压、2A连续漏极电流（ID）、典型导通电阻Rds(on)为3.5Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源辅助电路中的高频PWM开关管； - LED照明驱动：在隔离/非隔离式LED恒流驱动电路中作主控开关，支持调光控制； - 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动级，尤其在风扇、智能家电等低功耗电机系统中； - 逆变器与DC-AC转换模块：作为低压侧开关，用于微型光伏逆变器、UPS后备电源等中小功率能量转换环节； - 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中实现无触点开关，提升可靠性与寿命。 该器件因DPAK封装体积小、热性能优于TO-92，且具备雪崩耐受能力（UIS额定值），适合空间受限、需中等功率密度及高可靠性的嵌入式电源管理场景。注意实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热布局及过压/过流保护，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2N60TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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