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- 型号： FQB7N80TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7N80TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB7N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB7N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7N80TM 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，主要参数为：800V 耐压（VDSS）、7A 连续漏极电流（ID，TC=25°C）、典型导通电阻 RDS(on) ≈ 1.4Ω（VGS=10V），具备快速开关特性和内置体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管，尤其适用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑的高压侧开关。 ✅ 工业控制与电机驱动：在中小功率变频器、风扇/泵类电机控制中用作功率开关，支持高频 PWM 控制。 ✅ 不间断电源（UPS）与逆变器：作为 DC-AC 逆变桥臂开关元件，适用于离线式 UPS 或太阳能微逆变器的升压/逆变级。 ✅ 电磁炉与感应加热：可应用于谐振半桥或全桥电路，配合 ZVS 技术实现高效高频开关（需注意驱动与散热设计）。 该器件具有良好的雪崩耐受能力（UIS Rated）和较低的栅极电荷（Qg≈35nC），利于提升系统效率与EMI性能；但需注意其800V额定电压适合高压输入场合（如宽范围90–265V AC 输入），不适用于低压大电流场景。实际应用中建议搭配合适栅极驱动器、RC 缓冲电路及充分散热设计以确保长期可靠性。
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