Datasheet下载- 型号： FQB70N10TM_AM002
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB70N10TM_AM002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB70N10TM_AM002价格参考。Fairchild SemiconductorFQB70N10TM_AM002封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB70N10TM_AM002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB70N10TM_AM002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB70N10TM_AM002 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，典型参数为：VDS = 100 V，ID（连续）= 70 A，RDS(on) ≈ 14.5 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通损耗与良好热性能。 该器件主要应用于中高功率开关场景，典型用途包括： ✅ DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，利用其低RDS(on)提升效率； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，可承受脉冲电流并支持PWM高频开关； ✅ 电源保护与电子开关：用于电池管理系统（BMS）中的充放电保护回路、电源热插拔（Hot-swap）及负载开关，具备雪崩耐受能力，增强系统鲁棒性； ✅ 工业控制与照明：如LED恒流驱动电源、PLC输出级开关、工业电源的次级侧同步整流等。 其AM002后缀表示符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（注：需结合具体批次和数据手册确认），因此在部分车载辅助系统（如车窗升降、座椅调节、LED车灯驱动）中亦有应用潜力，但非主驱级别，需依整车厂认证要求而定。 综上，FQB70N10TM_AM002以高可靠性、低导通电阻和强电流能力，广泛服务于工业电源、通信设备、电机控制及汽车电子等对效率与稳定性要求较高的中功率开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB70N10TM_AM002 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 28.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
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