Datasheet下载- 型号： FQB5P10TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5P10TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5P10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5P10TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5P10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5P10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5P10TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有100V耐压、-4.8A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型Rds(on)为0.95Ω（Vgs=-10V），具备低导通损耗和良好热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于DC-DC转换器（如同步Buck电路的高边或反激式电源的辅助开关）、负载开关及电源路径管理，实现高效启停与过流保护； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流电机（如风扇、水泵、电动工具）的H桥驱动中的上桥臂或单向PWM调速； ✅ 工业与汽车电子：在车载LED照明驱动、车身控制模块（BCM）、继电器替代电路中，作为电平转换/反相开关，支持12V/24V系统； ✅ 电池供电设备：用于便携式设备（如POS机、安防设备）的电池反接保护、充放电回路隔离，利用其P沟道特性简化驱动设计（栅极可直接由MCU GPIO控制）； ✅ 逆变与辅助电源：在UPS、逆变器辅助电源中作稳压/待机电源开关。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和RoHS合规性，适合对可靠性与能效有要求的中功率开关应用。注意设计时需合理匹配栅极驱动（推荐Vgs ≤ –10V以确保充分导通）并做好散热（建议加装散热片）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5P10TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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