Datasheet下载- 型号： FQB5N20LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N20LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N20LTM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有200V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)低至1.4Ω（Vgs=10V），且支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至2.0V，Vgs=5V时即可充分导通），具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关或次级同步整流； - DC-DC转换器：用于Buck、Boost等拓扑中的功率开关，尤其适用于中低功率（<100W）工业及消费类电源模块； - 电机控制：驱动小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥/半桥电路，得益于其逻辑电平兼容性，可直接由MCU或驱动IC（如5V输出）控制，简化外围电路； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统中作为板级电源的通断控制器件（如USB供电开关、电池保护电路）； - 照明应用：LED恒流驱动中的PWM调光开关或隔离式驱动电路中的高压侧开关。 该器件内置ESD保护和优化体二极管，具备较强抗雪崩能力（UIS Rated），适用于对可靠性与设计简洁性有要求的中端工业控制、家电及通信电源等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N20LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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