Datasheet下载- 型号： FQB3P20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3P20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3P20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3P20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB3P20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB3P20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3P20TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，额定电压为–200 V，连续漏极电流为–3.2 A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on)低至1.8 Ω（Vgs=–10 V），具备快速开关特性和内置ESD保护。 其主要应用场景包括： ✅ 高压直流电源管理：如工业电源、LED驱动器中的反向阻断与负载开关； ✅ 继电器/保险丝替代方案：在电池管理系统（BMS）或电源输入端实现电子熔断、反向电流保护及电源极性保护； ✅ 高侧开关电路：适用于需P沟道器件的高边控制场合（如汽车车身控制模块、智能电表电源切换）； ✅ 电机控制辅助电路：用于小功率有刷电机的刹车、方向切换或使能控制（非主驱，因电流能力有限）； ✅ 离线式AC-DC适配器/待机电源：作为高压侧同步整流或待机供电通路开关，提升能效与可靠性。 该器件强调高雪崩耐量（UIS）、热稳定性及强抗dv/dt干扰能力，适合工作在中等功率、中高频（≤100 kHz）开关环境。不适用于大电流主功率变换（如主DC-DC转换器），但因其电压裕量充足、封装散热良好，在工业和汽车级中等严苛场景中表现稳健。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3P20TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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