Datasheet下载- 型号： FQB3N40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3N40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3N40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3N40TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB3N40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB3N40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3N40TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，主要参数为：400V耐压（VDSS）、3A连续漏极电流（ID，TC=25°C）、RDS(on)典型值为2.5Ω（VGS=10V），采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热性能和开关效率。 该器件典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； ✅ 离线式电源系统：在反激（Flyback）、正激（Forward）等拓扑中用作高压侧功率开关； ✅ 电机控制：适用于小功率直流电机、风扇、泵类的H桥或单管驱动电路（需注意电压/电流裕量）； ✅ 工业控制与家电：如电磁阀驱动、继电器替代、智能电表电源模块、微波炉/空调的辅助电源等； ✅ LED照明驱动：恒流/恒压LED驱动器中的高频开关元件，支持高效率、低EMI设计。 其400V额定电压适配通用整流后母线电压（如~310V DC），配合较低栅极电荷（Qg≈12nC）和快速开关特性，兼顾效率与可靠性。需注意：实际应用中应合理设计驱动电路（推荐10–15V栅极驱动）、加强散热（尤其在连续导通或高频工作时），并预留足够电压/温度安全裕量。不适用于同步整流或大电流（>3A持续）场景，此时建议选用更低RDS(on)或更高电流规格型号。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3N40TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
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