Datasheet下载- 型号： FQB2N90TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB2N90TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB2N90TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB2N90TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB2N90TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB2N90TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB2N90TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压N沟道增强型MOSFET，额定电压900V、连续漏极电流2.5A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低栅极电荷（Qg≈18nC）和优异的开关性能。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源等中低功率（<100W）高压输入（如85–265V AC或整流后高压直流）场合，作为主开关管实现高效能量转换。 2. LED照明驱动：在隔离式反激（Flyback）或非隔离降压（Buck）/降压-升压（Buck-Boost）LED驱动电路中，承担高频开关功能，支持调光与恒流控制。 3. 电机控制：用于小功率无刷直流（BLDC）电机或步进电机的驱动模块中，作为上桥臂高压侧开关（需搭配驱动IC），适用于家电（如风扇、水泵）、电动工具等。 4. 逆变器与UPS系统：在小型离线式UPS或太阳能微逆变器中，用作DC-AC变换的高压侧开关器件（常与低压侧MOSFET配合构成半桥）。 5. 工业控制与辅助电源：为PLC、传感器、继电器等提供隔离辅助电源的初级侧开关。 该器件强调高耐压、可靠性和热稳定性，适合对成本、尺寸与可靠性有综合要求的中端工业及消费类应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘、优化栅极驱动（避免振荡）并确保足够电压裕量（建议工作电压≤720V）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB2N90TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Tc） |
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