Datasheet下载- 型号： FQB19N10TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB19N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB19N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB19N10TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB19N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB19N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB19N10TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，额定电压100V、连续漏极电流19A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为0.075Ω）、快速开关特性和良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率开关电源（如AC-DC适配器、服务器PSU次级同步整流、POL模块），提升转换效率； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥或单管驱动电路（如电动工具、风扇、家电控制板）； ✅ LED照明驱动：作为恒流开关用于中高功率LED驱动器（如路灯、工业照明）的PWM调光与电流调节； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充/放电主控开关或均衡开关； ✅ 逆变器与UPS：在小功率离网逆变器、后备式UPS中承担DC-AC桥臂开关功能（需配合驱动与保护设计）。 该器件支持表面贴装，散热性能优于TO-220，适合紧凑型高可靠性设计。使用时需注意栅极驱动电压（推荐10V以确保充分导通）、避免雪崩击穿，并建议搭配TVS和RC缓冲电路以抑制电压尖峰。总体而言，FQB19N10TM是100V级别中高效率、高性价比的通用功率开关器件，适用于对成本、尺寸与能效均有要求的工业及消费类电源与控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB19N10TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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