Datasheet下载- 型号： FQB17N08LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB17N08LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB17N08LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB17N08LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB17N08LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB17N08LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB17N08LTM是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装。其典型参数包括：VDS=80V、ID(连续)=17A（TC=25°C）、RDS(on)≤0.075Ω（VGS=10V），支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.0–2.5V），具备快速开关特性与低导通损耗。 该器件主要应用于中功率开关场景，如： ✅ DC-DC电源转换：在降压（Buck）、同步整流等拓扑中作为主开关或续流管； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动的H桥或半桥电路； ✅ LED照明驱动：用于恒流调光/调光PWM开关及智能照明电源模块； ✅ 工业电源与辅助电源：如PLC模块、继电器驱动、电源管理单元中的负载开关； ✅ 汽车电子（非安全关键类）：符合AEC-Q101认证，可用于车载风扇、车灯控制、座椅调节等12V/24V系统。 其逻辑电平兼容性（可直接由MCU/5V PWM信号驱动）和低RDS(on)特性，使其在空间受限、需高效散热且强调简化驱动设计的应用中具有优势。注意：实际使用需配合合理PCB布局、散热设计及栅极驱动保护（如限流电阻、TVS）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB17N08LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 8.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.5A （Tc） |
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