Datasheet下载- 型号： FQB16N25CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB16N25CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB16N25CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB16N25CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB16N25CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB16N25CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB16N25CTM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有250V耐压、16A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型Rds(on)低至0.22Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC ATX电源、服务器电源中的主开关管或同步整流管； - DC-DC转换器：用于工业/通信设备中的降压（Buck）或升压（Boost）电路，尤其适合中等功率（约100–300W）场合； - 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元，承担高侧/低侧开关功能； - 照明电子：LED恒流驱动电源、智能调光镇流器中的功率开关； - 逆变器与UPS系统：作为DC/AC逆变级的功率开关器件（常搭配IGBT或并联使用以提升效率）； - 工业控制与电源管理模块：如PLC输出驱动、继电器替代、热插拔保护电路等。 该器件内置续流二极管（体二极管），具备一定反向恢复能力，但高频应用时建议外置快恢复二极管以优化性能。其D²PAK封装利于散热，适合需兼顾功率密度与可靠性的中功率通用开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB16N25CTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.6A （Tc） |
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