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  • 型号: TK4P55D(T6RSS-Q)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK4P55D(T6RSS-Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK4P55D(T6RSS-Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK4P55D(T6RSS-Q)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 550V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak。您可以下载TK4P55D(T6RSS-Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK4P55D(T6RSS-Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4P55D

产品图片

产品型号

TK4P55D(T6RSS-Q)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.88 欧姆 @ 2A,10V

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

TK4P55DT6RSSQ

功率-最大值

80W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

550V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A (Ta)

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