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- 型号： FQB16N15TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB16N15TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB16N15TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB16N15TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB16N15TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB16N15TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB16N15TM 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有150V耐压、16A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至0.18Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC ATX电源、服务器电源中的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：用于降压（Buck）拓扑的高边/低边开关，适用于工业控制、通信设备供电模块； ✅ 电机驱动：中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动单元，支持PWM调速； ✅ 照明电子：LED恒流驱动电路及智能照明调光系统中的功率开关； ✅ 逆变器与UPS：离线式不间断电源和小型光伏逆变器中的DC/AC桥式开关元件； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于充放电保护回路的高压侧/低压侧控制开关。 该器件内置续流二极管（体二极管），具备一定的反向恢复能力，适合中频（<100kHz）硬开关应用；其宽安全工作区（SOA）和雪崩耐量（UIS额定）提升了系统可靠性。需注意合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10–12V以确保充分导通）及散热（建议加装散热片）。 综上，FQB16N15TM 适用于对效率、成本与可靠性有综合要求的中等功率电力电子变换场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB16N15TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.4A （Tc） |
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