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- 型号： FQB12P10TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB12P10TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB12P10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB12P10TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB12P10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB12P10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB12P10TM 是安森美（onsemi）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，额定参数为：VDSS = –100 V，ID = –12 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值 180 mΩ（VGS = –10 V）。其高耐压、中等电流及低导通电阻特性，适用于中高压直流控制场景。 典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于开关电源（SMPS）中的同步整流、反激/正激拓扑的次级侧开关或辅助电源控制； ✅ 电机驱动：在12–48 V直流有刷电机的H桥或半桥电路中作为上管（配合N-MOS下管），实现方向与制动控制； ✅ 负载开关：在工业控制板、通信设备或电池供电系统中，用作高边/低边电源通断开关，支持热插拔与过流保护； ✅ 逆变器与UPS：在中小功率离网逆变器中承担DC-AC转换环节的功率开关； ✅ LED驱动：用于恒流调光电路或高压LED串的PWM调光开关。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的工况；内置体二极管可满足续流需求。需注意：P沟道结构使其栅极驱动更简单（无需自举电路），但导通损耗略高于同规格N-MOS，设计时应优化PCB散热并确保VGS足够负（推荐≤ –10 V）以降低RDS(on)。 综上，FQB12P10TM 主要面向工业电源、电机控制、嵌入式系统等对可靠性与中高压性能有要求的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB12P10TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 5.75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Tc） |
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