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  • 型号: FQB12N50TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB12N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB12N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB12N50TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB12N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB12N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB12N50TM 是安森美(ON Semiconductor)推出的单通道N沟道增强型高压MOSFET(非阵列,需澄清:该型号为单管封装,非MOSFET阵列;其数据手册明确标注为“Single N-Channel MOSFET”,常见封装为TO-263(D²PAK)。可能用户将“多引脚功率器件”误认为“阵列”,但严格分类中它不属于MOSFET阵列(如双、半桥或共源共栅集成阵列)。

典型应用场景包括:  
✅ 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源中的主开关管,耐压500V、导通电阻典型值0.58Ω(VGS=10V),适合中等功率(~100–300W)硬开关拓扑。  
✅ 电机控制:用于小功率工业风机、水泵、家用电器(如空调压缩机辅助电路、吸尘器H桥驱动中的单臂)的PWM功率开关。  
✅ 逆变器与DC-AC模块:在离网光伏微逆变器或UPS的DC侧升压/隔离级中作高频开关器件。  
✅ 电磁炉与感应加热:作为谐振变换器(LLC或串联谐振)中的主功率开关,利用其较低Qg(典型29nC)和良好SOA特性支持可靠高频工作。

注:因其RDS(on)相对较高且为单管,不适用于大电流同步整流或高密度多相VRM;亦非逻辑电平驱动(推荐VGS ≥ 10V),需搭配合适栅极驱动器。选型时需注意散热设计(D²PAK需敷铜面积≥4cm²以控温)。

(字数:398)
产品参数 图文手册 常见问题
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