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- 型号： FQB11N40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB11N40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB11N40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB11N40TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB11N40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB11N40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB11N40TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，额定电压400V、连续漏极电流11A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.48Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管或PFC（功率因数校正）电路中，适用于反激、正激、LLC谐振等拓扑； ✅ 工业控制与电机驱动：适用于中小功率直流电机控制、继电器替代、电磁阀驱动等需400V级耐压与中等电流切换的场合； ✅ 照明电子：在高亮度LED恒流驱动电路中作为PWM调光开关或初级侧功率开关； ✅ 家电与白色家电：如空调压缩机控制、洗衣机变频模块、微波炉高压电源等对可靠性与热性能要求较高的场景； ✅ UPS与电池管理系统：用于后备电源的DC/AC逆变或电池充放电回路中的隔离与保护开关。 该器件具备优良的dv/dt抗扰性与100% UIS（非钳位感应开关）能力，适合硬开关环境；其封装利于散热，可满足中等功率密度设计需求。注意实际应用中需合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、匹配驱动电阻，并做好PCB热管理与EMI抑制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB11N40TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.4A （Tc） |
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