Datasheet下载- 型号： FQAF47P06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF47P06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF47P06价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF47P06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF47P06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF47P06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF47P06 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F封装，额定电压-60V，连续漏极电流（ID）达-47A（Tc=25°C），低导通电阻（RDS(on)典型值仅32mΩ @ VGS = -10V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的高边或低边开关（尤其适配P-MOS高边驱动方案）、负载开关及OR-ing电路； ✅ 电机控制：驱动中小功率直流电机、步进电机相绕组或风扇调速模块，利用其低导通损耗提升能效； ✅ 电源管理与保护：用作电子保险丝（eFuse）、热插拔控制器、反向电压/极性保护开关（如USB供电、工业接口防接反）； ✅ 工业与汽车电子：适用于车载LED照明驱动、车身控制模块（BCM）、继电器替代、电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制（需注意其-60V耐压适合12V/24V系统）； ✅ 消费类电源适配器与UPS：在待机电源、辅助电源或备用电源路径中实现高效通断控制。 该器件强调高可靠性与鲁棒性，支持雪崩能量（EAS）耐受，适合对效率、热管理和空间有要求的中高功率应用。设计时需注意栅极驱动电压匹配（推荐VGS ≤ -10V以确保充分导通）及PCB散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF47P06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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