Datasheet下载- 型号： FQAF12N60
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF12N60由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF12N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF12N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF12N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF12N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF12N60 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、12A N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-3PF封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.58Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐量。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管，适用于反激、正激及LLC谐振拓扑； - 电机控制：适用于中小功率通用变频器、风扇/泵类电机驱动及家电（如空调压缩机、洗衣机驱动模块）中的高频PWM控制； - 照明电子镇流器与智能LED驱动：支持高效率、高功率因数（PFC）前级升压电路及隔离式恒流输出级； - 工业电源与UPS系统：在DC-DC变换模块、备用电源切换电路中承担高频硬开关任务； - 电磁加热（如IH电饭煲、电磁炉）：作为谐振逆变桥臂开关器件，在高频（20–50kHz）下可靠工作。 该器件内置ESD保护和优化的体二极管，具备较强抗dv/dt能力，适合中等功率（约100–500W范围）、高可靠性要求的工业与消费类应用。需注意合理设计驱动电路（推荐12–15V栅极驱动电压）及散热措施以保障长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF12N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Tc） |
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