Datasheet下载- 型号： FPNH10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FPNH10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FPNH10价格参考。Fairchild SemiconductorFPNH10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FPNH10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FPNH10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FPNH10 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），专为高频、高增益、低噪声应用优化。其典型应用场景包括： - VHF/UHF频段射频放大器：适用于40–500 MHz频段，常用于无线通信设备中的前置放大器（LNA）或驱动级放大器，如车载无线电、业余电台、对讲机及短波接收系统。 - AM/FM广播接收前端：凭借低噪声系数（NF ≈ 1.8 dB @ 100 MHz）和高增益（hFE > 120），可提升小信号接收灵敏度，改善信噪比。 - 工业与安防无线模块：在遥控、遥测、无线传感器网络（WSN）等低功耗、中频射频收发链路中，作为低成本、高可靠性放大单元。 - 教学与开发验证平台：因引脚兼容性强、偏置简单（典型共发射极配置）、热稳定性好，广泛用于高校射频电路实验及原型设计。 该器件采用SOT-323封装，体积小、寄生参数低，支持表面贴装；工作电压范围宽（VCEO = 15 V），具备良好功率处理能力（Ptot ≈ 250 mW）。需注意其为NPN型硅BJT，设计时应合理设置静态工作点以兼顾线性度与效率。 （注：FPNH10已进入产品寿命终止（EOL）阶段，ON Semiconductor建议使用替代型号如MMA06110或RF BJT系列新品，但现有库存仍常见于维护与兼容性设计中。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FPNH10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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