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  • 型号: FP150R07N3E4_B11
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FP150R07N3E4_B11由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FP150R07N3E4_B11价格参考。InfineonFP150R07N3E4_B11封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FP150R07N3E4_B11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FP150R07N3E4_B11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FP150R07N3E4_B11 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能IGBT模块(实际为62mm封装的半桥IGBT模块,含反并联二极管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别中的IGBT单管/模块(注:严格而言该型号是双单元半桥模块,但常被归类于高功率IGBT单功能器件应用范畴)。其典型参数包括:150A额定电流、700V集电极-发射极阻断电压、采用第三代TRENCHSTOP™ IGBT与EmCon3二极管技术,具备低导通损耗、软开关特性及优异短路耐受能力(10μs)。

主要应用场景包括:  
- 工业变频驱动(如伺服驱动器、PLC控制电机系统);  
- 不间断电源(UPS)主逆变电路,尤其适用于三相在线式中大功率(50–150kVA)系统;  
- 新能源发电领域,如光伏并网逆变器(组串式/集中式)的DC-AC转换级;  
- 电动汽车充电设备(如液冷型直流快充模块)中的PFC与逆变级;  
- 感应加热电源与焊接设备等高频高功率工业电源。

该模块支持高开关频率(典型≤20kHz)、结温达175°C,配合优化的门极驱动(如1ED020I12-F2)可实现高效、高可靠性运行,广泛用于对效率、功率密度和鲁棒性要求严苛的中高端工业与能源电子系统。
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