Datasheet下载- 型号： FOD3182V
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FOD3182V由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FOD3182V价格参考。Fairchild SemiconductorFOD3182V封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FOD3182V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FOD3182V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FOD3182V 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款栅极驱动器隔离器，常用于需要电气隔离的功率电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电机驱动系统：适用于工业自动化中的交流电机、直流电机及伺服电机的控制，提供驱动信号与主控电路之间的电气隔离，增强系统安全性。 2. 逆变器和变频器：广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业变频器中，用于驱动MOSFET或IGBT，实现高电压主电路与控制电路的隔离。 3. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源模块中，用于隔离控制侧与功率侧，提高系统的抗干扰能力和稳定性。 4. 工业控制设备：在PLC、工业机器人等设备中作为功率开关的驱动隔离器件，确保控制信号准确传输，同时保护低压控制电路不受高压侧影响。 5. 电动汽车充电设备：用于车载充电机或充电桩中的功率开关驱动电路，满足高电压隔离和高可靠性的需求。 FOD3182V具备高绝缘耐压、抗干扰能力强、响应速度快等特点，适合在高噪声、高温、高电压环境中稳定工作，是工业与能源系统中实现安全可靠功率控制的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTO IGBT GATE DVR 3A 8DIP高速光耦合器 High Speed 3A OUT MOSFET Gate Driver |
| 产品分类 | 隔离器 - 栅极驱动器集成电路 - IC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,高速光耦合器,Fairchild Semiconductor FOD3182V- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FOD3182V |
| 上升/下降时间（典型值） | 38ns， 24ns |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同If时的传播延迟高-低 | 145ns @ 10mA |
| 产品种类 | 高速光耦合器 |
| 传播延迟tpLH/tpHL（最大值） | 210ns， 210ns |
| 供应商器件封装 | 8-DIP |
| 共模瞬态抗扰度（最小值） | 35kV/µs |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 891 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | 光学耦合 |
| 数据速率 | - |
| 最大功率耗散 | 295 mW |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.8 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向电流 | 25 mA |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.43V |
| 电压-电源 | 10 V ~ 30 V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 25mA |
| 电流-峰值输出 | 3A |
| 电流-输出/通道 | 3A |
| 电流-输出高，低 | 2.5A， 2.5A |
| 系列 | FOD3182 |
| 绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 脉宽失真（最大） | 65ns |
| 认可 | UL，VDE |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 栅极驱动器 |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
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