【未分类_FMMTH10TC】封装/厂家_FMMTH10TC中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FMMTH10TC
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FMMTH10TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMTH10TC价格参考。Diodes Inc.FMMTH10TC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FMMTH10TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMTH10TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMMTH10TC 是安森美（onsemi）推出的高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），属SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，专为高频、低噪声、高增益应用优化。其典型应用场景包括：

1. 2.4 GHz ISM频段射频前端：如Wi-Fi 802.11b/g/n、Zigbee、蓝牙（BLE）等短距无线通信系统的低噪声放大器（LNA）或驱动级放大器，凭借其fₜ ≈ 9 GHz、高增益（Gₚ > 12 dB @ 2.4 GHz）和低噪声系数（NF ≈ 1.5 dB @ 2.4 GHz）特性，可有效提升接收灵敏度。

2. 无线遥控与物联网（IoT）终端：适用于智能家居传感器、无线门铃、遥控器等对尺寸、功耗和成本敏感的设备，SOT-323封装便于高密度PCB布局，支持低电压（V_CE = 3–5 V）工作，静态电流典型值仅10 mA，兼顾性能与能效。

3. 窄带RF模块与ASK/FSK发射链路：在315 MHz / 433 MHz超外差/超再生接收机或简易发射器中，可用作射频放大或缓冲级，提供稳定增益与良好线性度。

需注意：该器件非功率放大管（P1dB约15 dBm），不适用于高功率发射；设计时应重视输入/输出阻抗匹配（通常50 Ω）、PCB接地及去耦，以保障射频稳定性与EMI性能。数据手册建议使用推荐偏置点（如I_C = 10 mA, V_CE = 3 V）以达最佳NF与增益平衡。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
产品分类	RF 晶体管 (BJT)
品牌	Diodes Incorporated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FMMTH10TC
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 4mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3
功率-最大值	330mW
包装	带卷（TR）
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	3dB ~ 5dB @ 500MHz
增益	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	NPN
标准包装	10,000
电压-集射极击穿（最大值）	25V
电流-集电极(Ic)（最大值）	25mA
频率-跃迁	650MHz