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  • 型号: FMM65-015P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMM65-015P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMM65-015P价格参考。IXYSFMM65-015P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMM65-015P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMM65-015P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMM65-015P 是 IXYS(现属 Littelfuse)推出的双通道 N 沟道功率 MOSFET 阵列(采用 TO-263-7L 封装),具有 150 V 耐压、65 A(连续)/260 A(脉冲)高电流能力,低导通电阻(典型 Rds(on) ≈ 12 mΩ @ Vgs=10V),并集成体二极管与优化的开关特性。

其典型应用场景包括:  
✅ 工业电机驱动:用于伺服驱动器、变频器或步进电机H桥/半桥功率级,双MOSFET结构便于构建紧凑型同步整流或互补驱动拓扑;  
✅ DC-DC电源转换:在大功率非隔离式降压(Buck)、同步整流式LLC或相移全桥等拓扑中,作为主开关或同步整流管,提升效率与功率密度;  
✅ 不间断电源(UPS)与储能系统(ESS):用于电池充放电双向变换器(如双向DC-DC或逆变器后级),支持高频、高效率能量双向流动;  
✅ 焊接设备与感应加热:承受高di/dt和重复浪涌电流,适用于IGBT替代方案,在中高频(数十kHz)硬开关场合表现优异;  
✅ 车载与轨交辅助电源:满足AEC-Q101部分要求(需查证具体批次),适用于48V轻混系统、列车辅助供电模块等对可靠性与热管理要求严苛的场景。

该器件强调低热阻(RθJC ≈ 0.4°C/W)、强雪崩耐量及驱动兼容性(标准逻辑电平),适合高功率密度、强制风冷或液冷设计。实际应用中需配合优化PCB铜箔散热、合理栅极驱动(避免振荡)及过流/过温保护电路。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET PWR 150V ISOPLUS I4-PAC-5

产品分类

FET - 阵列

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

IXYS

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FMM65-015P

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

230nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

ISOPLUS i4-PAC™

功率-最大值

-

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

i4-Pac™-5

标准包装

24

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

65A

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