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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FMM65-015P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMM65-015P价格参考。IXYSFMM65-015P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMM65-015P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMM65-015P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMM65-015P 是 IXYS(现属 Littelfuse)推出的双通道 N 沟道功率 MOSFET 阵列(采用 TO-263-7L 封装),具有 150 V 耐压、65 A(连续)/260 A(脉冲)高电流能力,低导通电阻(典型 Rds(on) ≈ 12 mΩ @ Vgs=10V),并集成体二极管与优化的开关特性。 其典型应用场景包括: ✅ 工业电机驱动:用于伺服驱动器、变频器或步进电机H桥/半桥功率级,双MOSFET结构便于构建紧凑型同步整流或互补驱动拓扑; ✅ DC-DC电源转换:在大功率非隔离式降压(Buck)、同步整流式LLC或相移全桥等拓扑中,作为主开关或同步整流管,提升效率与功率密度; ✅ 不间断电源(UPS)与储能系统(ESS):用于电池充放电双向变换器(如双向DC-DC或逆变器后级),支持高频、高效率能量双向流动; ✅ 焊接设备与感应加热:承受高di/dt和重复浪涌电流,适用于IGBT替代方案,在中高频(数十kHz)硬开关场合表现优异; ✅ 车载与轨交辅助电源:满足AEC-Q101部分要求(需查证具体批次),适用于48V轻混系统、列车辅助供电模块等对可靠性与热管理要求严苛的场景。 该器件强调低热阻(RθJC ≈ 0.4°C/W)、强雪崩耐量及驱动兼容性(标准逻辑电平),适合高功率密度、强制风冷或液冷设计。实际应用中需配合优化PCB铜箔散热、合理栅极驱动(避免振荡)及过流/过温保护电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR 150V ISOPLUS I4-PAC-5 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FMM65-015P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 50A,10V |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 标准包装 | 24 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A |