Datasheet下载- 型号： FMG9AT248
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMG9AT248由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMG9AT248价格参考。ROHM SemiconductorFMG9AT248封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FMG9AT248参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMG9AT248 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMG9AT248 是罗姆（ROHM）半导体推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1/R2），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，含两个NPN晶体管（共发射极配置，独立基极偏置）。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与信号缓冲：适用于3.3V/5V MCU GPIO驱动，简化外围电路，直接连接微控制器输出，驱动LED、小功率继电器或逻辑门输入。 2. LED驱动电路：常用于多路LED背光或状态指示灯控制，预偏置设计省去外置基极电阻，节省PCB面积并提升一致性。 3. 开关电源辅助电路：在AC-DC或DC-DC转换器中用作使能控制、过压保护信号调理、反馈路径中的电平适配或光电耦合器后级接收管。 4. 工业I/O接口：在PLC模块、传感器信号调理板中实现输入信号整形、电平匹配及抗干扰隔离（配合上拉/下拉使用）。 5. 消费电子待机控制：如TV、机顶盒等设备的遥控接收、唤醒信号处理，利用其低输入电流（典型IIN≈10μA@VIN=0.7V）和快速开关特性（tON/tOFF约数十纳秒）降低功耗。 该器件具备高直流电流增益（hFE = 100–600）、±50V集电极-发射极击穿电压（VCEO）及150mW功耗，适合中低频（<100MHz）、中小电流（IC ≤ 100mA）开关应用。不推荐用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN DL 50V 100MA SMT5 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FMG9AT248 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SMT5 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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