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  • 型号: FMG1G200US60L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMG1G200US60L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMG1G200US60L价格参考。Fairchild SemiconductorFMG1G200US60L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMG1G200US60L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMG1G200US60L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMG1G200US60L 是富士电机(Fuji Electric)推出的高性能IGBT模块(实际为IGBT单管,非模块),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别。该器件额定参数为:1200V / 200A(Tc=25℃),采用第六代R6硅芯片技术,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.75V)、快速开关特性及优异的短路耐受能力(10μs)。

典型应用场景包括:  
- 工业变频驱动:用于中大功率通用变频器(如30–100kW级)、伺服驱动器主回路,实现高效电机调速与能量控制;  
- 不间断电源(UPS):作为逆变桥核心开关器件,支持高频PWM控制与高可靠性冗余运行;  
- 光伏/储能逆变系统:适用于集中式或组串式逆变器的DC-AC转换级,兼顾效率与热稳定性;  
- 感应加热与焊接电源:满足高频硬开关或软开关拓扑(如LLC、ZVS)对动态性能与鲁棒性的严苛要求;  
- 电动汽车车载充电机(OBC)与DC-DC变换器(限于高功率等级原型或商用后装方案)。

其TO-247-4L封装支持开尔文发射极引脚,优化驱动稳定性;内置续流二极管(FWD)为快恢复型,降低反向恢复损耗。需配合优化的驱动电路(如±15V驱动电压、足够峰值电流)及散热设计(推荐强制风冷或水冷)以发挥最佳性能。  

注:“品牌为-”应为信息缺失,实际品牌为富士电机(Fuji Electric)。
产品参数 图文手册 常见问题
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