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型号： FK28C0G1H2R2CN006
制造商： TDK
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FK28C0G1H2R2CN006由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK28C0G1H2R2CN006价格参考。TDKFK28C0G1H2R2CN006封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FK28C0G1H2R2CN006参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FK28C0G1H2R2CN006 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

TDK Corporation的陶瓷电容器型号FK28C0G1H2R2CN006，属于高稳定性、低损耗的C0G（NP0）温度特性MLCC（多层陶瓷电容器）。其标称容量为2.2 pF，额定电压为50 V（“1H”代码），容差±0.25 pF（“C”代码），采用0805封装（2.0 mm × 1.25 mm），无铅且符合RoHS标准。

该器件主要应用于对频率稳定性、Q值和温度漂移要求极高的高频模拟与射频电路中，典型场景包括：  
- 射频匹配网络：在Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x、Zigbee等2.4 GHz/5 GHz频段前端模块中，用于天线阻抗匹配或滤波器微调；  
- 振荡器与VCO旁路/负载电容：在晶体振荡器（XO）、压控振荡器（VCO）或RF收发芯片参考时钟路径中，提供高精度、低相位噪声的负载电容；  
- 高频滤波与耦合：在LNA输入级、混频器端口或SAW/BAW滤波器周边，实现信号隔离与直流偏置隔离；  
- 测试测量设备：如矢量网络分析仪（VNA）校准件、高频探头补偿电路等，依赖其极低的介质损耗（tanδ < 0.001）和优异的C-T特性（±30 ppm/℃）。

因其超小容值（2.2 pF）和C0G材质，不适用于电源去耦或大电流滤波，而专精于精密高频信号链。实际应用中需注意PCB布局对寄生电容的影响，并建议采用共面微带设计以保障阻抗匹配精度。

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