Datasheet下载- 型号： FJY3012R
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJY3012R由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJY3012R价格参考。Fairchild SemiconductorFJY3012R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJY3012R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJY3012R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJY3012R 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=R2=10kΩ），无需外部偏置电路，可直接由数字信号（如MCU GPIO、逻辑门输出）驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 中小功率开关控制：用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器、指示灯等负载，典型工作电流≤100mA，VCEO=50V，IC(max)=100mA，适合低压嵌入式系统。 ✅ 逻辑电平转换与接口缓冲：在3.3V/5V MCU与稍高电压外设间提供简单电平适配与电流放大功能。 ✅ 低成本替代传统“晶体管+两个电阻”分立方案：节省PCB面积、BOM成本及贴片工时，提升生产良率与可靠性。 ✅ 便携式与空间受限设备：采用SOT-523超小型封装（尺寸约1.6×1.6×0.7mm），适用于TWS耳机、智能穿戴、传感器模块等紧凑型设计。 注意：该器件不适用于线性放大或高频开关（fT未标称，非高速优化），亦不可用于大电流/高功耗场景（需加散热）。典型应用中建议输入驱动电压≥2.0V以确保饱和导通，避免工作在线性区导致温升。 综上，FJY3012R是面向成本敏感、空间受限、中低速数字开关应用的高集成度基础有源器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJY3012R |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-523F |
| 其它名称 | FJY3012RDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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