Datasheet下载- 型号： FJX4005RTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJX4005RTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJX4005RTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJX4005RTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJX4005RTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJX4005RTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJX4005RTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ），无需外部偏置电路，简化设计并提升可靠性。 其主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（如STM32、ESP32）GPIO驱动LED、继电器或光耦输入端，实现5V/3.3V逻辑信号的开关控制； ✅ 负载开关与小功率驱动：可驱动电流≤100 mA的负载，如小型LED指示灯、蜂鸣器、低功耗继电器线圈等； ✅ 信号切换与脉冲放大：在消费电子（如遥控器、充电器状态指示）、工业传感器模块中用作高速（fT ≈ 250 MHz）、低延迟的开关元件； ✅ 替代传统分立偏置BJT方案：显著减少PCB面积与BOM数量，提高生产良率，适用于空间受限的便携设备。 该器件具备高直流电流增益（hFE = 160–400 @ IC = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC = 10 mA）及ESD保护（HBM ≥ 2 kV），工作结温范围-55°C至+150°C，适用于工业与汽车电子辅助电路（非安全关键路径）。 注意：不适用于大电流（>150 mA）、高电压（>50 V）或线性放大场景。选型时需校验实际负载电流与功耗（PD ≤ 300 mW）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJX4005RTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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